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双面研磨机所用抛光垫在晶片中的运用理论

2014/6/22 17:12:24      点击:
深圳大精研磨技术有限公司利用丰富的技术资源,精湛的技术团队竭力研发双面研磨机,在前两年中有几台机器都曾获得国家最高专利技术,得到研磨行业的普遍任何与赞赏。目前我司正加大研发力度,通过建立多次试验模型有效的分析了双面研磨机个部件的运动轨迹及原理,弄清楚了耗材和机器之间的相互关系,取得了重大进展。
对晶片和抛光垫的表面粗糙程度建立的模型,可以得出以下结论:
(1)在一般膜厚意义下的润滑方程基础上构造了一种基于分形描述的新膜厚方程。
(2)在采用基于分形的新膜厚的情况下,抛光液的压力分布有一定的波动,而且压力最大值有所增大,压力最小值有所减小,无量纲荷载和转矩随新膜厚、转角、倾角的变化的基本趋势没有变化,但其数值大小要比一般膜厚意义下的小。对于双面抛光的模型:
(1)对于双面抛光而言,当荷载压力越大时,平均压差率越小;当抛光垫转速越小,或太阳轮转速越小,或抛光液粘度越小时,平均压差率越小。
(2)通过调整抛光参数组合获得最小的平均压差率,即可得到相对最均匀的抛光压力分布。
(3)利用正交实验法通过数值分析发现了抛光工艺参数对压力分布影响的主次关系依次为荷载压力,抛光液粘度,抛光垫转速,太阳轮转速。
   本实验模型考虑了晶片和抛光垫的表面粗糙程度,利用分形技术构造了新膜厚,并将其应用于CMP过程中,分析了新膜厚对CMP过程抛光液的压力分布以及无量纲荷载和转矩的影响压力的影响。同时本文又建立了双面研磨工艺中晶片上下表面的压力分布模型,获得了晶片和抛光垫表面的速度分布关系,分析了自由晶片在抛光过程中的运动状态,数值分析了自由晶片在压力荷载及转矩平衡时晶片上下表面的平均压力分布;通过调整抛光参数组合获得了最小的平均压差率,利用正交实验法通过数值分析发现了抛光工艺参数对压力分布影响的主次关系。
    双面研磨机可对光学玻璃,蓝宝石衬底,外延片,硅片,不锈钢,铜,陶瓷,模具,导光板,锌合金,铝合金,钨钢,铁,手机触摸屏,手机玻璃等五金配件,金属,非金属等进行高效高精密度的双面研磨抛光,可同时进行两面研磨抛光,光洁度可达0.2nm。
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